FDB8444TS
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDB8444TS |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263-5 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 70A, 10V |
Verlustleistung (max) | 181W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8410 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 338 nC @ 20 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta), 70A (Tc) |
Grundproduktnummer | FDB844 |
FDB8444TS Einzelheiten PDF [English] | FDB8444TS PDF - EN.pdf |
FDB8445 F085 F
FDB8444_F085 Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FAIRCHILD TO-263
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK
FDB8442_F085 Fairchild/ON Semiconductor
FDB8443_F085 Fairchild/ON Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
MOSFET N-CH 40V 25A TO263AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDB8444TSonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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